Numéro de produit du fabricant:
DN3765K4-G
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DN3765K4-G-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
3653 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12815156
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SOUMETTRE
DN3765K4-G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
300mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
8Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
825 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
DN3765
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Assemblage/origine PCN
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
DN3765K4-GTR
DN3765K4-GDKR
DN3765K4-GCT
DN3765K4-G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
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