DN3135N8-G
Numéro de produit du fabricant:

DN3135N8-G

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DN3135N8-G-DG

Description:

MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Description détaillée:
N-Channel 350 V 135mA (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)

Inventaire:

16992 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12815777
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DN3135N8-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
350 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
135mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
35Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
120 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-243AA (SOT-89)
Emballage / Caisse
TO-243AA
Numéro de produit de base
DN3135

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
DN3135N8-GDKR
DN3135N8-G-DG
DN3135N8-GTR
DN3135N8-GCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPD60R950C6

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

texas-instruments

CSD16401Q5

MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON

infineon-technologies

IRFM460

MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA

infineon-technologies

SPW47N65C3FKSA1

MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3