DN2535N3-G-P003
Numéro de produit du fabricant:

DN2535N3-G-P003

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DN2535N3-G-P003-DG

Description:

MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Description détaillée:
N-Channel 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventaire:

12795951
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SOUMETTRE

DN2535N3-G-P003 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
350 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92 (TO-226)
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base
DN2535

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
150-DN2535N3-G-P003TR
DN2535N3-G-P003-DG
150-DN2535N3-G-P003CT
150-DN2535N3-G-P003DKRINACTIVE

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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