APT84M50B2
Numéro de produit du fabricant:

APT84M50B2

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

APT84M50B2-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
Description détaillée:
N-Channel 500 V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventaire:

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SOUMETTRE

APT84M50B2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
84A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
T-MAX™ [B2]
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
APT84M50

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
APT84M50(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
APT84M50B2MI
APT84M50B2MI-ND

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX80N50Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
30
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX80N50Q3-DG
PRIX UNITAIRE
23.17
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