Numéro de produit du fabricant:
APT66F60B2
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT66F60B2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
Description détaillée:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventaire:
13260117
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SOUMETTRE
APT66F60B2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
POWER MOS 8™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13190 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
T-MAX™ [B2]
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
APT66F60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6046FNZ1C9
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
278
NUMÉRO DE PIÈCE
R6046FNZ1C9-DG
PRIX UNITAIRE
7.52
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240
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PRIX UNITAIRE
6.48
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PRIX UNITAIRE
3.01
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