Numéro de produit du fabricant:
APT60M80L2VRG
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT60M80L2VRG-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 65A 264 MAX
Description détaillée:
N-Channel 600 V 65A (Tc) 833W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
Inventaire:
13256082
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SOUMETTRE
APT60M80L2VRG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
POWER MOS V®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
80mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
590 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
833W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
264 MAX™ [L2]
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
APT60M80
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFL82N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
25
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24.34
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