Numéro de produit du fabricant:
APT28M120B2
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT28M120B2-DG
Description:
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventaire:
24 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13253449
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SOUMETTRE
APT28M120B2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
POWER MOS 8™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
560mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9670 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
T-MAX™ [B2]
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
APT28M120
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
APT28M120B2MI-ND
APT28M120B2MI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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