APT100M50J
Numéro de produit du fabricant:

APT100M50J

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

APT100M50J-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
Description détaillée:
N-Channel 500 V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventaire:

13250929
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

APT100M50J Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
103A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
38mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
620 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
24600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
APT100

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
10
Autres noms
APT100M50JMI
APT100M50JMI-ND

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN132N50P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
539
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN132N50P3-DG
PRIX UNITAIRE
30.45
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
microsemi

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE

microsemi

2N6756

MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

microchip-technology

APT6013LLLG

MOSFET N-CH 600V 43A TO264

microchip-technology

APT8020B2FLLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX