Numéro de produit du fabricant:
2N5606
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N5606-DG
Description:
POWER BJT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventaire:
12983427
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SOUMETTRE
2N5606 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500µA, 2.5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
-
Puissance - Max
25 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-213AA, TO-66-2
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-66 (TO-213AA)
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
150-2N5606
Classification environnementale et d'exportation
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
JANSF2N2906AUA
RH SMALL-SIGNAL BJT
JANKCBD2N2221A
RH SMALL-SIGNAL BJT
2C3720
POWER BJT
