2N5339QFN/TR
Numéro de produit du fabricant:

2N5339QFN/TR

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N5339QFN/TR-DG

Description:

POWER BJT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventaire:

12983715
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

2N5339QFN/TR Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 2A, 2V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39 (TO-205AD)

Informations supplémentaires

Forfait standard
100
Autres noms
150-2N5339QFN/TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
microchip-technology

JANSG2N2221AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N4001

POWER BJT

microchip-technology

2N5605

POWER BJT

microchip-technology

2N5663U3

POWER BJT