2N5322E3
Numéro de produit du fabricant:

2N5322E3

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N5322E3-DG

Description:

POWER BJT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 75 V 2 A 10 W Through Hole TO-5AA

Inventaire:

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12980730
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SOUMETTRE

2N5322E3 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
75 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Courant - Coupure du collecteur (max.)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
-
Puissance - Max
10 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-5AA

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
150-2N5322E3

Classification environnementale et d'exportation

Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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