2N3507
Numéro de produit du fabricant:

2N3507

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N3507-DG

Description:

NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 1 W Through Hole TO-39

Inventaire:

13251960
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SOUMETTRE

2N3507 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 500mA, 1V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Numéro de produit de base
2N3507

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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