Numéro de produit du fabricant:
VMO650-01F
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
VMO650-01F-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 690A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
Inventaire:
2 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12914949
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SOUMETTRE
VMO650-01F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Bulk
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
690A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 130mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
59000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2500W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Y3-DCB
Emballage / Caisse
Y3-DCB
Numéro de produit de base
VMO650
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2
Autres noms
Q1434129
VMO650-01F-NDR
-VMO650-01F
VM0650-01F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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