Numéro de produit du fabricant:
VMO580-02F
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
VMO580-02F-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
Description détaillée:
N-Channel 200 V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
Inventaire:
12819382
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SOUMETTRE
VMO580-02F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
580A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2750 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Y3-Li
Emballage / Caisse
Y3-Li
Numéro de produit de base
VMO580
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2
Autres noms
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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