MMIX1T132N50P3
Numéro de produit du fabricant:

MMIX1T132N50P3

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MMIX1T132N50P3-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 63A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount Polar3™

Inventaire:

12822477
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

MMIX1T132N50P3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Polar™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
267 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
18600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
520W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Polar3™
Emballage / Caisse
24-PowerSMD, 22 Leads
Numéro de produit de base
MMIX1T132

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
20
Autres noms
-MMIX1T132N50P3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
littelfuse

IXTA1N100P

MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

infineon-technologies

IRFS3507TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK

nxp-semiconductors

PHM18NQ15T,518

MOSFET N-CH 150V 19A 8HVSON

infineon-technologies

IPL60R185P7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON