Numéro de produit du fabricant:
MCB60I1200TZ-TUB
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MCB60I1200TZ-TUB-DG
Description:
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Inventaire:
13270589
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SOUMETTRE
MCB60I1200TZ-TUB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2790 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268AA (D3Pak-HV)
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
MCB60I1200
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
238-MCB60I1200TZ-TUB
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTT12N150HV-TRL
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
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