Numéro de produit du fabricant:
LSIC1MO120G0080
Product Overview
Fabricant:
Littelfuse Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
LSIC1MO120G0080-DG
Description:
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 39A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
12963126
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SOUMETTRE
LSIC1MO120G0080 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
39A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
170 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
LSIC1MO120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
18-LSIC1MO120G0080
-1024-LSIC1MO120G0080
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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