Numéro de produit du fabricant:
LSIC1MO120G0040
Product Overview
Fabricant:
Littelfuse Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
LSIC1MO120G0040-DG
Description:
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 70A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
12962945
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SOUMETTRE
LSIC1MO120G0040 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
175 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
317 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
LSIC1MO120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
18-LSIC1MO120G0040
-1024-LSIC1MO120G0040
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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