Numéro de produit du fabricant:
IXTY14N60X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTY14N60X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
56 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12942874
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SOUMETTRE
IXTY14N60X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
250mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
740 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IXTY14
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
70
Autres noms
238-IXTY14N60X2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TPCC8105,L1Q(CM
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
