IXTY01N100D
Numéro de produit du fabricant:

IXTY01N100D

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTY01N100D-DG

Description:

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

6296 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12821215
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IXTY01N100D Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Depletion
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IXTY01

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
70
Autres noms
238-IXTY01N100D-CRL
Q14254273

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
littelfuse

IXFB60N80P

MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264

littelfuse

IXFT69N30P

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

littelfuse

IXFH36N50P

MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD

littelfuse

IXFH15N100

MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD