Numéro de produit du fabricant:
IXTX210P10T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTX210P10T-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
Description détaillée:
P-Channel 100 V 210A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventaire:
419 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12820598
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXTX210P10T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
TrenchP™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
210A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
740 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
69500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1040W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PLUS247™-3
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
IXTX210
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO264
IXTH280N055T
MOSFET N-CH 55V 280A TO247
IXFT7N90Q
MOSFET N-CH 900V 7A TO268
