Numéro de produit du fabricant:
IXTU02N50D
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTU02N50D-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Description détaillée:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventaire:
453 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12819252
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SOUMETTRE
IXTU02N50D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Depletion
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
120 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251AA
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IXTU02
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
70
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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