Numéro de produit du fabricant:
IXTR32P60P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTR32P60P-DG
Description:
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Description détaillée:
P-Channel 600 V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
12820296
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXTR32P60P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
PolarP™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
385mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
310W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTR32
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFN24N100
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA