Numéro de produit du fabricant:
IXTR200N10P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTR200N10P-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
12819144
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXTR200N10P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTR200
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4468PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
317
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4468PBF-DG
PRIX UNITAIRE
4.42
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
IXFV22N50PS
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS-220SMD
IXFT44N50P
MOSFET N-CH 500V 44A TO268
IXFN64N60P
MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
