IXTQ30N50L2
Numéro de produit du fabricant:

IXTQ30N50L2

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTQ30N50L2-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventaire:

12821712
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SOUMETTRE

IXTQ30N50L2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Linear L2™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
IXTQ30

Informations supplémentaires

Forfait standard
30

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDA28N50F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
31
NUMÉRO DE PIÈCE
FDA28N50F-DG
PRIX UNITAIRE
3.56
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FDA24N50F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
30
NUMÉRO DE PIÈCE
FDA24N50F-DG
PRIX UNITAIRE
1.87
TYPE DE SUBSTITUT
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