Numéro de produit du fabricant:
IXTQ180N055T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTQ180N055T-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 55 V 180A (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12822068
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SOUMETTRE
IXTQ180N055T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH260N055T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
3
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH260N055T2-DG
PRIX UNITAIRE
3.89
TYPE DE SUBSTITUT
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