Numéro de produit du fabricant:
IXTP4N60P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTP4N60P-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12821070
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SOUMETTRE
IXTP4N60P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
PolarHV™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
635 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXTP4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP4N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
202
NUMÉRO DE PIÈCE
STP4N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
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