IXTP20N65X2M
Numéro de produit du fabricant:

IXTP20N65X2M

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTP20N65X2M-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventaire:

13270819
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SOUMETTRE

IXTP20N65X2M Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
185mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1450 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Isolated Tab
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
IXTP20

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
238-IXTP20N65X2M

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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