Numéro de produit du fabricant:
IXTP20N65X
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTP20N65X-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12821814
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SOUMETTRE
IXTP20N65X Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
210mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1390 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
320W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXTP20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R199CPXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
512
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R199CPXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.75
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QUANTITÉ DISPONIBLE
595
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH20N65X-DG
PRIX UNITAIRE
5.92
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP21N50C3XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2469
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP21N50C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.91
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PRIX UNITAIRE
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