Numéro de produit du fabricant:
IXTP110N12T2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTP110N12T2-DG
Description:
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12820749
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SOUMETTRE
IXTP110N12T2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
TrenchT2™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6570 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
517W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXTP110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP2532
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP2532-DG
PRIX UNITAIRE
1.60
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TYPE DE SUBSTITUT
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