Numéro de produit du fabricant:
IXTP08N100P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTP08N100P-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
285 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12819505
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXTP08N100P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
240 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXTP08
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXFT20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
IXFA7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO263
IXTA05N100HV
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
