IXTH67N10
Numéro de produit du fabricant:

IXTH67N10

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTH67N10-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 67A TO247
Description détaillée:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventaire:

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SOUMETTRE

IXTH67N10 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
MegaMOS™
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTH67

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
IXT(H,M,T) 67N10, 75N10

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
IXTH67N10-NDR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH76N15T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH76N15T2-DG
PRIX UNITAIRE
4.25
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
3.80
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
13987
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PRIX UNITAIRE
1.25
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QUANTITÉ DISPONIBLE
415
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PRIX UNITAIRE
1.49
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