Numéro de produit du fabricant:
IXTH200N10T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTH200N10T-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Description détaillée:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventaire:
19 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12820864
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SOUMETTRE
IXTH200N10T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Trench
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
550W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTH200
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4310ZPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1902
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4310ZPBF-DG
PRIX UNITAIRE
2.10
TYPE DE SUBSTITUT
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