Numéro de produit du fabricant:
IXTF6N200P3
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTF6N200P3-DG
Description:
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
Description détaillée:
N-Channel 2000 V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventaire:
12821834
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SOUMETTRE
IXTF6N200P3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Polar P3™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
2000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
215W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Emballage / Caisse
ISOPLUSi5-PAK™
Numéro de produit de base
IXTF6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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