Numéro de produit du fabricant:
IXTA3N100D2HV
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTA3N100D2HV-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventaire:
12821641
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SOUMETTRE
IXTA3N100D2HV Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Depletion
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1020 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263HV
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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