Numéro de produit du fabricant:
IXTA1N200P3HV-TRL
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTA1N200P3HV-TRL-DG
Description:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Description détaillée:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventaire:
13140410
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SOUMETTRE
IXTA1N200P3HV-TRL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
2000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
646 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263HV
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR
IXTA1N200P3HVTRL
238-IXTA1N200P3HV-TRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR-ND
238-IXTA1N200P3HVTRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLCT-ND
238-IXTA1N200P3HV-TRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR-ND
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTT1N250HV-TRL
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTT1N250HV-TRL-DG
PRIX UNITAIRE
31.96
TYPE DE SUBSTITUT
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