Numéro de produit du fabricant:
IXT-1-1N100S1
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXT-1-1N100S1-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
Inventaire:
12821076
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SOUMETTRE
IXT-1-1N100S1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
-
Ensemble d’appareils du fournisseur
-
Emballage / Caisse
-
Numéro de produit de base
IXT-1
Informations supplémentaires
Forfait standard
94
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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