Numéro de produit du fabricant:
IXFX90N20Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFX90N20Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventaire:
12915210
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SOUMETTRE
IXFX90N20Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, Q Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PLUS247™-3
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
IXFX90
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFX90N20Q-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP90N20DPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
574
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP90N20DPBF-DG
PRIX UNITAIRE
3.02
TYPE DE SUBSTITUT
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