Numéro de produit du fabricant:
IXFX20N80Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFX20N80Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventaire:
12908482
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SOUMETTRE
IXFX20N80Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
420mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PLUS247™-3
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
IXFX20
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPC50APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4648
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPC50APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.74
TYPE DE SUBSTITUT
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