IXFX150N30P3
Numéro de produit du fabricant:

IXFX150N30P3

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFX150N30P3-DG

Description:

MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3
Description détaillée:
N-Channel 300 V 150A (Tc) 1300W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventaire:

12819857
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SOUMETTRE

IXFX150N30P3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar3™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
19mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PLUS247™-3
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
IXFX150

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
-IXFX150N30P3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4768PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2632
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4768PBF-DG
PRIX UNITAIRE
3.59
TYPE DE SUBSTITUT
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