Numéro de produit du fabricant:
IXFV12N120P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFV12N120P-DG
Description:
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventaire:
12821009
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SOUMETTRE
IXFV12N120P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, PolarP2™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
543W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PLUS220
Emballage / Caisse
TO-220-3, Short Tab
Numéro de produit de base
IXFV12
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
APT13F120B
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
30
NUMÉRO DE PIÈCE
APT13F120B-DG
PRIX UNITAIRE
7.92
TYPE DE SUBSTITUT
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