Numéro de produit du fabricant:
IXFT58N20Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFT58N20Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Description détaillée:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventaire:
12821195
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SOUMETTRE
IXFT58N20Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268AA
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT58
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFT58N20Q-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTT82N25P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTT82N25P-DG
PRIX UNITAIRE
5.71
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTN5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXTH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
