IXFT52N50P2
Numéro de produit du fabricant:

IXFT52N50P2

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFT52N50P2-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Description détaillée:
N-Channel 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventaire:

12820398
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SOUMETTRE

IXFT52N50P2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, PolarP2™
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
52A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268AA
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT52

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
-IXFT52N50P2

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFT60N50P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
6
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFT60N50P3-DG
PRIX UNITAIRE
6.36
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
APT42F50S
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
APT42F50S-DG
PRIX UNITAIRE
10.63
TYPE DE SUBSTITUT
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