Numéro de produit du fabricant:
IXFT50N50P3
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFT50N50P3-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Description détaillée:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventaire:
20 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12821802
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXFT50N50P3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar3™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 0 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4335 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268AA
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
-IXFT50N50P3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTP05N100
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
IXFH13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
IXTY1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252