Numéro de produit du fabricant:
IXFT16N120P-TRL
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFT16N120P-TRL-DG
Description:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventaire:
13271157
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SOUMETTRE
IXFT16N120P-TRL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HiPerFET™, Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
660W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT16
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
238-IXFT16N120P-TRLTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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