Numéro de produit du fabricant:
IXFT13N100
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFT13N100-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventaire:
12821864
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SOUMETTRE
IXFT13N100 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268AA
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT13
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFT13N100-NDR
Q2093962
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFT18N100Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFT18N100Q3-DG
PRIX UNITAIRE
14.17
TYPE DE SUBSTITUT
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