Numéro de produit du fabricant:
IXFR9N80Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFR9N80Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
Description détaillée:
N-Channel 800 V Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
12819575
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SOUMETTRE
IXFR9N80Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, Q Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFR9N80
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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