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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IXFR230N20T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFR230N20T-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
Description détaillée:
N-Channel 200 V 156A (Tc) 600W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12821179
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SOUMETTRE
IXFR230N20T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Trench
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
156A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
28000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFR230
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IXFR230N20T-DG
Fiches techniques
IXFR230N20T
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4668PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
8420
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4668PBF-DG
PRIX UNITAIRE
4.38
TYPE DE SUBSTITUT
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