Numéro de produit du fabricant:
IXFR180N10
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFR180N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Description détaillée:
N-Channel 100 V 165A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
12819470
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SOUMETTRE
IXFR180N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
165A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFR180
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFR180N10-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
HUF75652G3
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
450
NUMÉRO DE PIÈCE
HUF75652G3-DG
PRIX UNITAIRE
5.03
TYPE DE SUBSTITUT
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