Numéro de produit du fabricant:
IXFP4N85XM
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFP4N85XM-DG
Description:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Description détaillée:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12819540
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SOUMETTRE
IXFP4N85XM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
850 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
247 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IXFP4N85
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7A90E,S4X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
95
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7A90E,S4X-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
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